半导体行业专家提出建议，认为面临的挑战是需要优先考虑将20纳米至90纳米的晶片国产化。

面对美国对中国芯片行业的制约，中国半导体产业的发展战略备受关注。据澎湃新闻报道，中芯国际原副总裁、俄罗斯工程院外籍院士李伟在最近的一场半导体行业中小企业创新发展论坛上表示，与其投入大量资金来突破2纳米技术，或许更应优先发展国产化的20纳米到90纳米芯片技术。

第十二届亚太经合组织（APEC）中小企业技术交流暨展览会由工信部和山东省政府共同主办，于11月9日至11日在山东青岛成功举行。在半导体行业创新发展论坛上，来自学术界、专家团队和企业界的多位与会人士就中国半导体产业的困扰和未来发展方向展开了互动和讨论。

李伟强调，在通讯、人工智能等一些特定领域，才会需要使用2nm的芯片。实际上，国内大部分民用市场和军工市场的需求已经可以通过使用28nm的芯片来满足。

据李伟称，“我国集成电路技术整体上落后于国际水平超过五年，制造设备和材料（尤其是光刻胶）是中国芯片产业的最大短板。目前，相关材料、设备和设计软件等主要依赖进口，只有大约百分之十的设备可以国产。”

李伟认为，中国的半导体行业正面临一系列挑战。首先，国外先进技术和设备对华出口受到一定限制。其次，国内企业之间的竞争也日益激烈。与此同时，国内不仅缺乏自主核心关键技术，也缺乏高端人才团队。另外，长期发展的动力和规划也是一个问题。

对于如何掌握晶片产业的主动权，李伟提出了五项建议：

一、瞄准核心领域，解决自主可控的问题；

二、充分利用中国内地市场的优势，开发专用晶片；

三、根据自身能力，寻找差异化的发展路径；

四、保持聚焦，不散乱发展；

五、通过推进第三代和第四代半导体等技术的突破，实现多个关键点的进展。

在该论坛上，许多业者都提到了中国的技术仍然有所不足。一位功率半导体器件公司的负责人表示，当前在新能源领域，功率半导体器件正在迅速发展，但在第三代半导体材料的应用方面，国内的技术储备还不够充足。他说：“国外已经发展到第7代、第8代了，而我们还停留在第4代左右。”

然而，美国的制裁措施确实给中国大陆的厂商带来了困扰。一家从事刻蚀机和离子注入机研制的企业负责人表示，由于国际贸易保护主义的抬头，该企业在引进国际技术和进行国际并购时受到了一定的影响。另一家从事集成电路元器件制造的企业负责人指出，中国在某些零部件、上游原材料和电子元器件的国产配套能力仍较弱，甚至一些特殊用途的不锈钢在国内也没有特别成熟的解决方案。